Лаборатория роста полупроводниковых кристаллов

Заведующий лабораторией академик Мухтар Сафарбаевич Саидов.

Основные направления исследований: Разработка и исследование свойств новых полупроводниковых материалов выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии, CVD и электронно-лучевой зонной плавки.

Исследование примесного фотовольтаического эффекта.

Исследование и разработка полупроводниковых приборов.

Объекты исследования: Эпитаксиальные пленки новых полупроводниковых твердых растворов (типа (GaAs)_1-x(Ge2)_xи др. ), объемные монокристаллы Si1-_xGe_x эпитаксиальные пленки и кристаллы SiC

В лаборатории исследования ведутся в рамках трех грантов ЦНТ РУз , грантов Фонда поддержки фундаментальных исследований АН РУз. Выполняются также исследования в рамках международных грантов УНТЦ и CRDF.